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EMD62T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

fabricante: ROHM Semiconductor

Hoja de datos: EMD62T2R

precio:

USD $0.06

Stock: 97 pcs

Parámetro del producto

serie

-

embalaje

Tape & Reel (TR)

Estatuto parcial

Active

La potencia - Max

150mW

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

SOT-563, SOT-666

Tipo del Transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Resistencia - Base (R1)

47kOhms

Frecuencia - la transición

250MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

EMT6

Resistencia - Base del emis(R2)

47kOhms

Saturvce (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

Corte de corriente - colector (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Tensión - ruptura del colector del emisor (Max)

50V

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