HIP2100EIBT

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de puerta

N-Channel MOSFET

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de entrada

Non-Inverting

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de canal

Independent

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Número de Base

HIP2100

Tensión - alimentación

9V ~ 14V

Número de conductores

2

Configuración accionada

Half-Bridge

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tiempo de ascenso/caída (Typ)

10ns, 10ns

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-SOIC-EP

Tensión lógica - VIL, VIH

4V, 7V

Alto voltalateral - Max (Bootstrap)

114V

Corriente — pico de salida (fuente, sumi)

2A, 2A