HAT2033RWS-E

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

N-Channel

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento

150°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 4A, 10V

Disipotencia (Max)

2.5W (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-SOP

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

60V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

7A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

4V, 10V