NP100P04PDG-E1-AY

Parámetro del producto

---

serie

-

Tipo de FET

P-Channel

embalaje

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 50A, 10V

Disipotencia (Max)

1.8W (Ta), 200W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-263

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

320nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

40V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

15100pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

4.5V, 10V