NP50P03YDG-E1-AY

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

P-Channel

embalaje

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4mOhm @ 25A, 10V

Disipotencia (Max)

1W (Ta), 102W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-HSON

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

30V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

5V, 10V