NP55N03SUG-E1-AY

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 28A, 10V

Disipotencia (Max)

1.2W (Ta), 77W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-252 (MP-3ZK)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

30V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

55A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V