NP89N04NUK-S18-AY

Parámetro del producto

---

serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 45A, 10V

Disipotencia (Max)

1.8W (Ta), 147W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-262

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

102nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

40V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5850pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

90A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V