RJK2055DPA-WS#J0

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

N-Channel

Vgs (Max)

±30V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-PowerWDFN

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento

150°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

69mOhm @ 10A, 10V

Disipotencia (Max)

30W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-WPAK

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

200V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

20A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V