RJK6032DPD-00#J2

Parámetro del producto

---

serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±30V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3Ohm @ 1.5A, 10V

Disipotencia (Max)

40.3W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

MP-3A

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

600V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

285pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V