RJK60S7DPK-M0#T0

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

+30V, -20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

Super Junction

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-3P-3, SC-65-3

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 15A, 10V

Disipotencia (Max)

227.2W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-3PSG

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

600V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V