RQJ0305EQDQS#H1

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

P-Channel

Vgs (Max)

+8V, -12V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-243AA

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento

150°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

Disipotencia (Max)

1.5W (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

UPAK

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

30V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

3.4A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

2.5V, 4.5V