SCT10N120

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

+25V, -10V

tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-247-3

Número de Base

SCT10

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 200°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

690mOhm @ 6A, 20V

Disipotencia (Max)

150W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

HiP247™

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 20V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

1200V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 400V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

20V