STD100N03LT4

Parámetro del producto

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serie

STripFET™

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Número de Base

STD10

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 40A, 10V

Disipotencia (Max)

110W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

DPAK

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

30V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

5V, 10V