STD50NH02L-1

Parámetro del producto

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serie

STripFET™ III

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Número de Base

STD50N

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 25A, 10V

Disipotencia (Max)

60W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

I-PAK

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

24V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

5V, 10V