STY112N65M5

Parámetro del producto

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serie

MDmesh™ V

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±25V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-247-3

Número de Base

STY112

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 47A, 10V

Disipotencia (Max)

625W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

MAX247™

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

650V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

16870pF @ 100V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

96A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V