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1T5G A1G

DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Hoja de datos: 1T5G A1G

precio:

USD $0.77

Stock: 90 pcs

Parámetro del producto

velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

serie

-

embalaje

Tape & Box (TB)

Tipo de diodo

Standard

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

T-18, Axial

Capacitancia @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

TS-1

Corriente — fuga inversa @ Vr

5µA @ 600V

Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)

600V

Corriente - promedio rectificado (Io)

1A

Temperatura de funcionamiento - Unión

-55°C ~ 150°C

Volta- adelante (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

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