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6A80G B0G

DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Hoja de datos: 6A80G B0G

precio:

USD $0.35

Stock: 78 pcs

Parámetro del producto

velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

serie

-

embalaje

Bulk

Tipo de diodo

Standard

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

R6, Axial

Capacitancia @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

R-6

Corriente — fuga inversa @ Vr

10µA @ 800V

Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)

800V

Corriente - promedio rectificado (Io)

6A

Temperatura de funcionamiento - Unión

-55°C ~ 150°C

Volta- adelante (Vf) (Max) @ If

1V @ 6A

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