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HS1J R3G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Hoja de datos: HS1J R3G

precio:

USD $0.49

Stock: 3600 pcs

Parámetro del producto

velocidad

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

serie

-

embalaje

Cut Tape (CT)

Tipo de diodo

Standard

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

DO-214AC, SMA

Capacitancia @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

DO-214AC (SMA)

Tiempo de recuperación inversa (TRR)

75ns

Corriente — fuga inversa @ Vr

5µA @ 600V

Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)

600V

Corriente - promedio rectificado (Io)

1A

Temperatura de funcionamiento - Unión

-55°C ~ 150°C

Volta- adelante (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

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