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HS3M M6G

DIODE GEN PURP 3A DO214AB

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Hoja de datos: HS3M M6G

precio:

USD $0.69

Stock: 67 pcs

Parámetro del producto

velocidad

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

serie

-

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de diodo

Standard

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

DO-214AB, SMC

Capacitancia @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

DO-214AB (SMC)

Tiempo de recuperación inversa (TRR)

75ns

Corriente — fuga inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Corriente - promedio rectificado (Io)

3A

Temperatura de funcionamiento - Unión

-55°C ~ 150°C

Volta- adelante (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

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