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RSFBL M2G

DIODE GEN PURP 100V 500MA SUBSMA

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Hoja de datos: RSFBL M2G

precio:

USD $0.37

Stock: 97 pcs

Parámetro del producto

velocidad

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

serie

-

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de diodo

Standard

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

DO-219AB

Capacitancia @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

Sub SMA

Tiempo de recuperación inversa (TRR)

150ns

Corriente — fuga inversa @ Vr

5µA @ 100V

Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)

100V

Corriente - promedio rectificado (Io)

500mA

Temperatura de funcionamiento - Unión

-55°C ~ 150°C

Volta- adelante (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 500mA

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