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S1ML M2G

DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Hoja de datos: S1ML M2G

precio:

USD $0.05

Stock: 74 pcs

Parámetro del producto

velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

serie

-

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de diodo

Standard

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

DO-219AB

Capacitancia @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

Sub SMA

Tiempo de recuperación inversa (TRR)

1.8µs

Corriente — fuga inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Corriente - promedio rectificado (Io)

1A

Temperatura de funcionamiento - Unión

-55°C ~ 175°C

Volta- adelante (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

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