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S4B V6G

DIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Hoja de datos: S4B V6G

precio:

USD $0.1

Stock: 29 pcs

Parámetro del producto

velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

serie

-

Tipo de diodo

Standard

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

DO-214AB, SMC

Capacitancia @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

DO-214AB (SMC)

Tiempo de recuperación inversa (TRR)

1.5µs

Corriente — fuga inversa @ Vr

100µA @ 100V

Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)

100V

Corriente - promedio rectificado (Io)

4A

Temperatura de funcionamiento - Unión

-55°C ~ 150°C

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