Menu Navigation

SFS1001G MNG
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
thumb-0

SFS1001G MNG

DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB


fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Hoja de datos: SFS1001G MNG

precio:

USD $0.29

Stock: 97 pcs

Parámetro del producto

velocidad
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
serie
-
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de diodo
Standard
Estatuto parcial
Active
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacitancia @ Vr, F
70pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivo para el proveedor
TO-263AB (D²PAK)
Tiempo de recuperación inversa (TRR)
35ns
Corriente — fuga inversa @ Vr
1µA @ 50V
Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)
50V
Corriente - promedio rectificado (Io)
10A
Temperatura de funcionamiento - Unión
-55°C ~ 150°C
Volta- adelante (Vf) (Max) @ If
975mV @ 5A

Usted también puede estar interesado en