CSD75208W1015T

Parámetro del producto

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serie

NexFET™

Tipo de FET

2 P-Channel (Dual) Common Source

embalaje

Cut Tape (CT)

característica

Logic Level Gate

Estatuto parcial

Active

La potencia - Max

750mW

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

6-UFBGA, DSBGA

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 1A, 4.5V

Paquete de dispositivo para el proveedor

6-DSBGA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

20V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

1.6A