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TC58BYG1S3HBAI4
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
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TC58BYG1S3HBAI4

NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)

fabricante: Toshiba Memory

Hoja de datos: TC58BYG1S3HBAI4

precio:

USD $3.52

Stock: 210 pcs

Parámetro del producto

RoHS
Details
marca
Toshiba Memory
velocidad
25 ns
producto
NAND Flash
embalaje
Tray
Tamaño de la memoria
2 Gbit
Tipo de memoria
NAND
Subcategoria subcategoria
Memory & Data Storage
Tipo de momento
Synchronous
arquitectura
Block Erase
fabricante
Toshiba
organización
256 M x 8
Tipo de producto
NAND Flash
Ancho del Bus de datos
8 bit
Tipo de interfaz
Parallel
Estilo de montaje
SMD/SMT
Paquete/caja
TFBGA-63
Categoría de producto
NAND Flash
Sensible a la humedad
Yes
Corriente de alimentación - Max
30 mA
Tensión de alimentación - Max
1.95 V
Tensión de alimentación - Min
1.7 V
Fábrica de cantidad de embalaje
210
Frecuencia de reloj máxima
-
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 85 C
Temperatura de funcionamiento mínima
- 40 C

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