TC58NVG2S3EBAI5

Parámetro del producto

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RoHS

Details

marca

Toshiba Memory

velocidad

25 ns

producto

NAND Flash

embalaje

Tray

Tamaño de la memoria

4 Gbit

Tipo de memoria

NAND

Subcategoria subcategoria

Memory & Data Storage

Tipo de momento

Synchronous

arquitectura

Block Erase

fabricante

Toshiba

organización

512 M x 8

Tipo de producto

NAND Flash

Ancho del Bus de datos

8 bit

Tipo de interfaz

Parallel

Estilo de montaje

SMD/SMT

Paquete/caja

TFBGA-63

Categoría de producto

NAND Flash

Sensible a la humedad

Yes

Corriente de alimentación - Max

30 mA

Tensión de alimentación - Max

3.6 V

Tensión de alimentación - Min

2.7 V

Fábrica de cantidad de embalaje

180

Frecuencia de reloj máxima

-

Temperatura máxima de funcionamiento

+ 85 C

Temperatura de funcionamiento mínima

- 40 C