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1SS307(TE85L,F)

DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Hoja de datos: 1SS307(TE85L,F)

precio:

USD $0.03

Stock: 1490 pcs

Parámetro del producto

velocidad

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

serie

-

embalaje

Digi-Reel®

Tipo de diodo

Standard

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Capacitancia @ Vr, F

6pF @ 0V, 1MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

S-Mini

Corriente — fuga inversa @ Vr

10µA @ 30V

Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)

30V

Corriente - promedio rectificado (Io)

100mA

Temperatura de funcionamiento - Unión

125°C (Max)

Volta- adelante (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 100mA

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