2SK2009TE85LF

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50MA, 2.5V

Disipotencia (Max)

200mW (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

SC-59-3

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

30V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 3V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

200mA (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

2.5V