2SK4017(Q)

Parámetro del producto

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serie

U-MOSIII

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Bulk

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.5A, 10V

Disipotencia (Max)

20W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

PW-MOLD2

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

60V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

5A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

4V, 10V