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MT3S111TU,LF

RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Hoja de datos: MT3S111TU,LF

precio:

USD $0.61

Stock: 74 pcs

Parámetro del producto

ganancia

12.5dB

serie

-

embalaje

Digi-Reel®

Estatuto parcial

Active

La potencia - Max

800mW

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

3-SMD, Flat Leads

Tipo del Transistor

NPN

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Frecuencia - la transición

10GHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

UFM

Figura de ruido (dB Typ @ f)

0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz

Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Tensión - ruptura del colector del emisor (Max)

6V

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