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RN1702JE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Hoja de datos: RN1702JE(TE85L,F)

precio:

USD $0.28

Stock: 7758 pcs

Parámetro del producto

serie

-

embalaje

Digi-Reel®

Estatuto parcial

Active

La potencia - Max

100mW

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

SOT-553

Tipo del Transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

Resistencia - Base (R1)

10kOhms

Frecuencia - la transición

250MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

ESV

Resistencia - Base del emis(R2)

10kOhms

Saturvce (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

Corte de corriente - colector (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Tensión - ruptura del colector del emisor (Max)

50V

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