TK65A10N1,S4X

Parámetro del producto

---

serie

U-MOSVIII-H

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-220-3 Full Pack

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 32.5A, 10V

Disipotencia (Max)

45W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-220SIS

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

100V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 50V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

65A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V