TPD3215M

Parámetro del producto

---

serie

-

Tipo de FET

2 N-Channel (Half Bridge)

embalaje

Bulk

característica

GaNFET (Gallium Nitride)

Estatuto parcial

Obsolete

La potencia - Max

470W

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 30A, 8V

Paquete de dispositivo para el proveedor

Module

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 8V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

600V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2260pF @ 100V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

70A (Tc)