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RS1JHE3_A/I
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
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RS1JHE3_A/I

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC


fabricante: Vishay / Semiconductor - Diodes Division

Hoja de datos: RS1JHE3_A/I

precio:

USD $0.47

Stock: 7288 pcs

Parámetro del producto

velocidad
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
serie
Automotive, AEC-Q101
embalaje
Cut Tape (CT)
Tipo de diodo
Standard
Estatuto parcial
Active
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
DO-214AC, SMA
Número de Base
RS1J
Capacitancia @ Vr, F
7pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivo para el proveedor
DO-214AC (SMA)
Tiempo de recuperación inversa (TRR)
250ns
Corriente — fuga inversa @ Vr
5µA @ 600V
Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)
600V
Corriente - promedio rectificado (Io)
1A
Temperatura de funcionamiento - Unión
-55°C ~ 150°C
Volta- adelante (Vf) (Max) @ If
1.3V @ 1A

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