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S3M-E3/9AT
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
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S3M-E3/9AT

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB


fabricante: Vishay / Semiconductor - Diodes Division

Hoja de datos: S3M-E3/9AT

precio:

USD $0.78

Stock: 2824 pcs

Parámetro del producto

velocidad
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
serie
-
embalaje
Digi-Reel®
Tipo de diodo
Standard
Estatuto parcial
Active
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
DO-214AB, SMC
Número de Base
S3M
Capacitancia @ Vr, F
60pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivo para el proveedor
DO-214AB (SMC)
Tiempo de recuperación inversa (TRR)
2.5µs
Corriente — fuga inversa @ Vr
10µA @ 1000V
Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)
1000V
Corriente - promedio rectificado (Io)
3A
Temperatura de funcionamiento - Unión
-55°C ~ 150°C
Volta- adelante (Vf) (Max) @ If
1.15V @ 2.5A

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