TCET1100G

Parámetro del producto

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serie

-

embalaje

Tube

Tipo de entrada

DC

Tipo de salida

Transistor

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

4-DIP (0.400", 10.16mm)

Número de canales

1

Tensión - aislamiento

5000Vrms

Saturación Vce (Max)

300mV

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 100°C

Tiempo de ascenso/caída (Typ)

3µs, 4.7µs

Tensión - salida (Max)

70V

Paquete de dispositivo para el proveedor

4-DIP

Corriente - salida/canal

50mA

Relación de transferencia corriente (Max)

600% @ 5mA

Relación de transferencia corriente (Min)

50% @ 5mA

Tensión de avance (Vf) (Typ)

1.25V

Tiempo de encendido/apagado (Typ)

6µs, 5µs

Corriente - corriente continua (si) (Max)

60mA