BS250KL-TR1-E3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET®

Tipo de FET

P-Channel

embalaje

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Disipotencia (Max)

800mW (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-92-18RM

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 15V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

60V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

270mA (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

4.5V, 10V