SI1958DH-T1-E3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET®

Tipo de FET

2 N-Channel (Dual)

embalaje

Digi-Reel®

característica

Logic Level Gate

Estatuto parcial

Obsolete

La potencia - Max

1.25W

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Número de Base

SI1958

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

205mOhm @ 1.3A, 4.5V

Paquete de dispositivo para el proveedor

SC-70-6 (SOT-363)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

20V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

105pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

1.3A