SI2300DS-T1-GE3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET®

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Digi-Reel®

Vgs (Max)

±12V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 2.9A, 4.5V

Disipotencia (Max)

1.1W (Ta), 1.7W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

SOT-23-3 (TO-236)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

30V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 15V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

3.6A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

2.5V, 4.5V