SI3127DV-T1-GE3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET®

Tipo de FET

P-Channel

embalaje

Digi-Reel®

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

89mOhm @ 1.5A, 4.5V

Disipotencia (Max)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

6-TSOP

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

60V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

833pF @ 20V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

3.5A (Ta), 13A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

4.5V, 10V