SI3529DV-T1-E3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET®

Tipo de FET

N and P-Channel

embalaje

Tape & Reel (TR)

característica

Logic Level Gate

Estatuto parcial

Obsolete

La potencia - Max

1.4W

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Paquete de dispositivo para el proveedor

6-TSOP

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

40V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

205pF @ 20V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

2.5A, 1.95A