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SI4004DY-T1-GE3
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
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SI4004DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC


fabricante: Vishay / Siliconix

Hoja de datos: SI4004DY-T1-GE3

precio:

USD $0.08

Stock: 30 pcs

Parámetro del producto

serie
TrenchFET®
Tipo de FET
N-Channel
embalaje
Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
característica
-
Estatuto parcial
Obsolete
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 11A, 10V
Disipotencia (Max)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Paquete de dispositivo para el proveedor
8-SO
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Drenar a tensión de fuente (Vdss)
20V
Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1280pF @ 10V
Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)
4.5V, 10V

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