SI4102DY-T1-E3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET®

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

158mOhm @ 2.7A, 10V

Disipotencia (Max)

2.4W (Ta), 4.8W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-SO

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

100V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 50V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

3.8A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

6V, 10V