SI4401BDY-T1-GE3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET®

Tipo de FET

P-Channel

embalaje

Digi-Reel®

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 10.5A, 10V

Disipotencia (Max)

1.5W (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-SO

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

40V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

8.7A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

4.5V, 10V