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SI4562DY-T1-E3
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
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SI4562DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC


fabricante: Vishay / Siliconix

Hoja de datos: SI4562DY-T1-E3

precio:

USD $0.55

Stock: 29 pcs

Parámetro del producto

serie
TrenchFET®
Tipo de FET
N and P-Channel
embalaje
Tape & Reel (TR)
característica
Logic Level Gate
Estatuto parcial
Obsolete
La potencia - Max
2W
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de Base
SI4562
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Paquete de dispositivo para el proveedor
8-SO
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Drenar a tensión de fuente (Vdss)
20V
Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C
-

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