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SI4916DY-T1-E3
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
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SI4916DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC


fabricante: Vishay / Siliconix

Hoja de datos: SI4916DY-T1-E3

precio:

USD $0.01

Stock: 23 pcs

Parámetro del producto

serie
LITTLE FOOT®
Tipo de FET
2 N-Channel (Half Bridge)
embalaje
Digi-Reel®
característica
Logic Level Gate
Estatuto parcial
Obsolete
La potencia - Max
3.3W, 3.5W
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de Base
SI4916
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Paquete de dispositivo para el proveedor
8-SO
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Drenar a tensión de fuente (Vdss)
30V
Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C
10A, 10.5A

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