SI4967DY-T1-GE3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET®

Tipo de FET

2 P-Channel (Dual)

embalaje

Tape & Reel (TR)

característica

Logic Level Gate

Estatuto parcial

Obsolete

La potencia - Max

2W

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.5A, 4.5V

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-SO

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

12V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

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Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

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