SI5902BDC-T1-E3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET®

Tipo de FET

2 N-Channel (Dual)

embalaje

Digi-Reel®

característica

Logic Level Gate

Estatuto parcial

Active

La potencia - Max

3.12W

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SMD, Flat Lead

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

30V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 15V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

4A (Tc)