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SI6562DQ-T1-E3
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
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SI6562DQ-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP


fabricante: Vishay / Siliconix

Hoja de datos: SI6562DQ-T1-E3

precio:

USD $0.51

Stock: 76 pcs

Parámetro del producto

serie
TrenchFET®
Tipo de FET
N and P-Channel
embalaje
Digi-Reel®
característica
Logic Level Gate
Estatuto parcial
Obsolete
La potencia - Max
1W
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Número de Base
SI6562
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Paquete de dispositivo para el proveedor
8-TSSOP
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Drenar a tensión de fuente (Vdss)
20V
Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C
-

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