SI7900AEDN-T1-E3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET®

Tipo de FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

embalaje

Cut Tape (CT)

característica

Logic Level Gate

Estatuto parcial

Active

La potencia - Max

1.5W

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

PowerPAK® 1212-8 Dual

Número de Base

SI7900

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8.5A, 4.5V

Paquete de dispositivo para el proveedor

PowerPAK® 1212-8 Dual

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

20V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

6A